Hasiera > Produktuak > Semieroale diskretuen produktuak > Transistoreak - FETs, MOSFETs - Banako > STB12NM50T4
STB12NM50T4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Lead free / RoHS betez
Eskatu prezioa eta epea
STB12NM50T4 eskuragarri daude, STB12NM50T4 hornitu dezakegu, eskaera aurrekontuaren inprimakia erabili STB12NM50T4 pirce eta epea eskatzeko.Atosn.com osagai elektronikoen banatzaile profesionala. Inbentario handia dugu eta entrega azkarra egin dezakegu. Jarri gurekin harremanetan gaur eta gure salmenta ordezkariak prezioa eta bidalketa xehetasunak emango dizkizu # STB12NM50T4 zatian. Aduana garbitzeko arazoak zure herrialdearekin bat etor daitezen, salmenta talde profesionala dugu.eta talde teknikoa, zurekin lan egitea espero dugu.
Eskatu Aurrekontua
Produktuen parametroak
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 50µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Hornitzaileen gailuen paketea
- D2PAK
- Series
- MDmesh™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 350 mOhm @ 6A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 160W (Tc)
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Pakete / kasua
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Beste izenak
- 497-5381-2
STB12NM50T4-ND
- Tenperatura operatiboa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Muntaketa mota
- Surface Mount
- Hezetasunaren sentikortasun maila (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrikatzailearen Lead Time estandarra
- 42 Weeks
- Lead Free Status / RoHS egoera
- Lead free / RoHS Compliant
- Sarrera edukiera (Ciss) (Max) @ Vds
- 1000pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 39nC @ 10V
- FET mota
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Drive tentsioa (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Iturria tentsioa xukatu (Vdss)
- 550V
- Deskribapen zehatza
- N-Channel 550V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Uneko - Drain kontinentala (Id) @ 25 ° C
- 12A (Tc)
Antzeko produktuak
- STMicroelectronics STB12NM50T4
- STB12NM50T4 datu fitxa
- STB12NM50T4 datu-orria
- STB12NM50T4 pdf datu-orria
- Deskargatu STB12NM50T4 datu-orria
- STB12NM50T4 irudia
- STB12NM50T4 zatia
- ST STB12NM50T4
- STMicroelectronics STB12NM50T4