Hasiera > Produktuak > Semieroale diskretuen produktuak > Transistoreak - FETs, MOSFETs - Banako > STP11N65M5
STP11N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 9A TO-220
Lead free / RoHS betez
Eskatu prezioa eta epea
STP11N65M5 eskuragarri daude, STP11N65M5 hornitu dezakegu, eskaera aurrekontuaren inprimakia erabili STP11N65M5 pirce eta epea eskatzeko.Atosn.com osagai elektronikoen banatzaile profesionala. Inbentario handia dugu eta entrega azkarra egin dezakegu. Jarri gurekin harremanetan gaur eta gure salmenta ordezkariak prezioa eta bidalketa xehetasunak emango dizkizu # STP11N65M5 zatian. Aduana garbitzeko arazoak zure herrialdearekin bat etor daitezen, salmenta talde profesionala dugu.eta talde teknikoa, zurekin lan egitea espero dugu.
Eskatu Aurrekontua
Produktuen parametroak
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Hornitzaileen gailuen paketea
- TO-220
- Series
- MDmesh™ V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 480 mOhm @ 4.5A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 85W (Tc)
- Packaging
- Tube
- Pakete / kasua
- TO-220-3
- Beste izenak
- 497-13170
- Tenperatura operatiboa
- 150°C (TJ)
- Muntaketa mota
- Through Hole
- Hezetasunaren sentikortasun maila (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrikatzailearen Lead Time estandarra
- 42 Weeks
- Lead Free Status / RoHS egoera
- Lead free / RoHS Compliant
- Sarrera edukiera (Ciss) (Max) @ Vds
- 644pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 17nC @ 10V
- FET mota
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Drive tentsioa (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Iturria tentsioa xukatu (Vdss)
- 650V
- Deskribapen zehatza
- N-Channel 650V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
- Uneko - Drain kontinentala (Id) @ 25 ° C
- 9A (Tc)
Antzeko produktuak
- STMicroelectronics STP11N65M5
- STP11N65M5 datu fitxa
- STP11N65M5 datu-orria
- STP11N65M5 pdf datu-orria
- Deskargatu STP11N65M5 datu-orria
- STP11N65M5 irudia
- STP11N65M5 zatia
- ST STP11N65M5
- STMicroelectronics STP11N65M5