Hasiera > Produktuak > Semieroale diskretuen produktuak > Transistoreak - FETs, MOSFETs - Banako > STW3N170
STW3N170
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Lead free / RoHS betez
Eskatu prezioa eta epea
STW3N170 eskuragarri daude, STW3N170 hornitu dezakegu, eskaera aurrekontuaren inprimakia erabili STW3N170 pirce eta epea eskatzeko.Atosn.com osagai elektronikoen banatzaile profesionala. Inbentario handia dugu eta entrega azkarra egin dezakegu. Jarri gurekin harremanetan gaur eta gure salmenta ordezkariak prezioa eta bidalketa xehetasunak emango dizkizu # STW3N170 zatian. Aduana garbitzeko arazoak zure herrialdearekin bat etor daitezen, salmenta talde profesionala dugu.eta talde teknikoa, zurekin lan egitea espero dugu.
Eskatu Aurrekontua
Produktuen parametroak
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Hornitzaileen gailuen paketea
- TO-247-3
- Series
- PowerMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 13 Ohm @ 1.3A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 160mW
- Packaging
- Tube
- Pakete / kasua
- TO-247-3
- Beste izenak
- 497-16332-5
- Tenperatura operatiboa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Muntaketa mota
- Through Hole
- Hezetasunaren sentikortasun maila (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrikatzailearen Lead Time estandarra
- 42 Weeks
- Lead Free Status / RoHS egoera
- Lead free / RoHS Compliant
- Sarrera edukiera (Ciss) (Max) @ Vds
- 1100pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 44nC @ 10V
- FET mota
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Drive tentsioa (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Iturria tentsioa xukatu (Vdss)
- 1700V
- Deskribapen zehatza
- N-Channel 1700V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3
- Uneko - Drain kontinentala (Id) @ 25 ° C
- 2.6A (Tc)
Antzeko produktuak
- STMicroelectronics STW3N170
- STW3N170 datu fitxa
- STW3N170 datu-orria
- STW3N170 pdf datu-orria
- Deskargatu STW3N170 datu-orria
- STW3N170 irudia
- STW3N170 zatia
- ST STW3N170
- STMicroelectronics STW3N170