Hasiera > Produktuak > Semieroale diskretuen produktuak > Transistoreak - FETs, MOSFETs - Banako > STB6NM60N
STB6NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
Lead free / RoHS betez
Eskatu prezioa eta epea
STB6NM60N eskuragarri daude, STB6NM60N hornitu dezakegu, eskaera aurrekontuaren inprimakia erabili STB6NM60N pirce eta epea eskatzeko.Atosn.com osagai elektronikoen banatzaile profesionala. Inbentario handia dugu eta entrega azkarra egin dezakegu. Jarri gurekin harremanetan gaur eta gure salmenta ordezkariak prezioa eta bidalketa xehetasunak emango dizkizu # STB6NM60N zatian. Aduana garbitzeko arazoak zure herrialdearekin bat etor daitezen, salmenta talde profesionala dugu.eta talde teknikoa, zurekin lan egitea espero dugu.
Eskatu Aurrekontua
Produktuen parametroak
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Hornitzaileen gailuen paketea
- D2PAK
- Series
- MDmesh™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 920 mOhm @ 2.3A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 45W (Tc)
- Packaging
- Original-Reel®
- Pakete / kasua
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Beste izenak
- 497-8770-6
- Tenperatura operatiboa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Muntaketa mota
- Surface Mount
- Hezetasunaren sentikortasun maila (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Lead Free Status / RoHS egoera
- Lead free / RoHS Compliant
- Sarrera edukiera (Ciss) (Max) @ Vds
- 420pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 13nC @ 10V
- FET mota
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Drive tentsioa (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Iturria tentsioa xukatu (Vdss)
- 600V
- Deskribapen zehatza
- N-Channel 600V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Uneko - Drain kontinentala (Id) @ 25 ° C
- 4.6A (Tc)
Antzeko produktuak
- STMicroelectronics STB6NM60N
- STB6NM60N datu fitxa
- STB6NM60N datu-orria
- STB6NM60N pdf datu-orria
- Deskargatu STB6NM60N datu-orria
- STB6NM60N irudia
- STB6NM60N zatia
- ST STB6NM60N
- STMicroelectronics STB6NM60N