STU11N65M2
Eskatu prezioa eta epea
STU11N65M2 eskuragarri daude, STU11N65M2 hornitu dezakegu, eskaera aurrekontuaren inprimakia erabili STU11N65M2 pirce eta epea eskatzeko.Atosn.com osagai elektronikoen banatzaile profesionala. Inbentario handia dugu eta entrega azkarra egin dezakegu. Jarri gurekin harremanetan gaur eta gure salmenta ordezkariak prezioa eta bidalketa xehetasunak emango dizkizu # STU11N65M2 zatian. Aduana garbitzeko arazoak zure herrialdearekin bat etor daitezen, salmenta talde profesionala dugu.eta talde teknikoa, zurekin lan egitea espero dugu.
Eskatu Aurrekontua
Produktuen parametroak
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Hornitzaileen gailuen paketea
- IPAK (TO-251)
- Series
- MDmesh™ II Plus
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 670 mOhm @ 3.5A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 85W (Tc)
- Packaging
- Tube
- Pakete / kasua
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Beste izenak
- 497-15043-5
- Tenperatura operatiboa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Muntaketa mota
- Through Hole
- Hezetasunaren sentikortasun maila (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Lead Free Status / RoHS egoera
- Lead free / RoHS Compliant
- Sarrera edukiera (Ciss) (Max) @ Vds
- 410pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 12.5nC @ 10V
- FET mota
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Drive tentsioa (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Iturria tentsioa xukatu (Vdss)
- 650V
- Deskribapen zehatza
- N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
- Uneko - Drain kontinentala (Id) @ 25 ° C
- 7A (Tc)
Antzeko produktuak
- STMicroelectronics STU11N65M2
- STU11N65M2 datu fitxa
- STU11N65M2 datu-orria
- STU11N65M2 pdf datu-orria
- Deskargatu STU11N65M2 datu-orria
- STU11N65M2 irudia
- STU11N65M2 zatia
- ST STU11N65M2
- STMicroelectronics STU11N65M2